
PLUTO-MH國產(chǎn)等離子刻蝕機特點(diǎn):
1.針對于對等離子體處理有嚴苛要求的場(chǎng)合中使用
2.等離子源才用頻率為13.56MHz射頻發(fā)生器,兼顧物理反應和化學(xué)反應
3.采用500W功率電源,自動(dòng)阻抗匹配,高功率射頻發(fā)生器可應對各種實(shí)驗要求,保障高能量密度和高處理效率
4.高精度真空度控制,適應各種處理需求
5.316不銹鋼腔體(或者6061鋁合金),全不銹鋼管路和連接件,適用各種氣體(包含腐蝕性氣體)
6.4.3寸工業(yè)級觸摸屏,軟件操作方便,多種參數設置和工藝組合處理模式
7.可增加多種配件,涂覆鍍膜,電極溫度控制,等離子體強度控制,等離子體化學(xué)反應等功能(如有特殊應用,請咨詢(xún)銷(xiāo)售人員)
8.根據用戶(hù)需求,提供對應等離子體處理方案和定制特殊用途設備
PLUTO-MH國產(chǎn)等離子刻蝕機參數:
真空腔規格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
電極:兩個(gè)自適應平板電極,材質(zhì)T6061鋁合金(可提供特氟龍包覆無(wú)孔平板電極,適合需要雙面處理樣品)
電極尺寸:120*135mm 間距20~75mm 可調(可反轉)
等離子體發(fā)生器:RF射頻發(fā)生器,頻率:13.56MHz
功率:0-500W連續可調,自動(dòng)阻抗匹配,精度1W
氣體控制:針式氣體流量閥,標配1路氣體,全不銹鋼管道和連接件
控制方式:4.3寸工業(yè)控制觸摸屏
控制軟件功能:界面顯示實(shí)時(shí)工作狀態(tài),
可顯示設置值與實(shí)際值,便于實(shí)時(shí)控制。
可自由設置等離子功率,通入氣體時(shí)間
多級操作權限,多種工藝參數組合控制,
全手動(dòng)控制和全自動(dòng)控制可選
保護裝置:一鍵急停保護按鈕
(如需其他功能,請咨詢(xún)銷(xiāo)售人員)
PLUTO-MH國產(chǎn)等離子刻蝕機應用領(lǐng)域:
配置不同模塊,拓展不同應用
加熱電極模塊-溫度可控,可以加速等離子體處理速度和極大提高樣品處理的均勻性
沉積鍍膜模塊,改變表面特性:
沉積CF材料,樣品表面可以具有憎水的特性
沉積含苯材料,樣品表面起到絕緣防水的特性
沉積含有羥基的材料,提高樣品表面和其他材料的結合效果
感應耦合模塊-感應耦合等離子體裝置
氣體混合裝置
可以根據可以要求進(jìn)行混氣設計
氣體純化和反應
氣體純化和使用等離子體與相關(guān)材料進(jìn)行化學(xué)反應